高功率氮化鎵二極體及電晶體之研製技術暨學界科專專利公開說明會

創新是促進產業升級的重要動力,有好的技術與專利能推動產業向前發展體質、增加公司研發及智財能量。國立清華大學電子所由四個團隊協力,配合晶元光電執行科技專案計畫所產出之成果,今將透過公平、公開程序徵求企業承續該項研發成果並推動後續研發及產業化,廣邀各界先進踴躍參加並請不吝指導。

主辦單位:國立清華大學

時間:2016525()

地點:國立清華大學台達館(Delta) 304會議室

議程表 (Schedule)

2016 5 25 (星期三)

時間 (Time)

題目 (Topic)

講者

09:45 am - 10:00 am

報到

10:00 am - 10:10 am

開幕致詞與簡介

鄭克勇 教授

10:10 am - 10:30 am

分子束磊晶成長高濃度P型氮化鎵

李品頤

10:30 am - 10:50 am

1. 奈米壓印與二次磊晶異質成長低缺陷密度之氮化鎵

2. 於矽基板上成長高品質氮化鎵

10:50 am - 11:10 am

傳統垂直型氮化鎵電晶體及蝕刻式閘極結構改良

張庭輔

11:10 am - 11:30 am

新式垂直跨接結構高功率氮化鎵二極體及電晶體

張智堯

11:30 am - 11:45 am

中場休息

11:45 am - 11:50 am

致詞與簡介

黃智方 副教授

11:50 am - 12:20 pm

2016清華大學學界科專 專利說明會

黃智方 副教授

12:20 pm - 12:30 pm

Q&A

黃智方 副教授

 

 

報名網站:http://goo.gl/forms/QxZOxaX8T6

聯絡人:黃小姐

Emaillulu890804@gmail.com

電話:(03)5715131;分機34051

 

公告單位: 國立清華大學